Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)研究的開題報告題目：Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)研究一、選題背景及研究意義Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料在光電器件、電子器件、納米器件等領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用價值。而低維結(jié)構(gòu)的Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，具有獨特的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)等性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于激光器、太陽能電池、光電探測器等領(lǐng)域。因此，研究Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。二、研究內(nèi)容和方法1.研究Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)，包括線性光學(xué)性質(zhì)和非線性光學(xué)性質(zhì)。2.制備Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的樣品，包括量子點、納米線、薄膜等結(jié)構(gòu)。3.采用多種手段對樣品進行表征，包括XRD、TEM、PL等技術(shù)。4.實驗測量樣品在外界光源下的吸收spectra、熒光spectra等光學(xué)性質(zhì)。5.分析和討論樣品的光學(xué)性質(zhì)及其內(nèi)在機理，通過亞納米級的光學(xué)結(jié)構(gòu)和材料的光電性能相結(jié)合，研究Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)材料中的致發(fā)光機理和量子調(diào)控性質(zhì)。三、論文結(jié)構(gòu)和進度安排1.第一章緒論1.1研究背景和意義1.2國內(nèi)外研究現(xiàn)狀1.3研究方法和內(nèi)容2.第二章實驗材料和方法2.1實驗材料2.2實驗方法3.第三章實驗結(jié)果與分析3.1樣品的表征3.2光學(xué)性質(zhì)的測量和分析4.第四章結(jié)論與展望4.1對實驗結(jié)果進行總結(jié)和分析4.2未來研究方向和展望5.參考文獻6.致謝時間安排：第一階段：查閱相關(guān)文獻和資料，撰寫開題報告，1周第二階段：材料制備和表征，4周第三階段：實驗測量和數(shù)據(jù)分析，6周第四階段：論文撰寫和修改，3周四、參考文獻1.Wang,X.,etal.UltrathinCdSnanotubeswithspecificfacetingandenhancedvisible-lightphotocatalyticactivity.NanoLetters,2011,11(5):2219-2225.2.Yang,P.,etal.Chemicalfunctionalizationofsemiconductornanowires.AdvMater,2002,14(7):462-466.3.Zhang,W.,etal.Single-crystallineNiOnanourchinsself-assembledfromnanorodsforefficientphotocatalysis.AdvFunctMater,2012,22(7):1515-1522.4.Liu,J.,etal.In-situgaseousdecompositionsynthesisofsingle-crystallineultrathinα-NiSnanosheetsforefficientwateroxidation.AngewandteChemieInternationalEdition,2014,53(26):6782-6786.5.Wang,X.,etal.α-Fe2O3nanoflakeswithenhancedhigh-frequencydielectricbehaviorasmicro