ICS3108099

CCSL.90.

中華人民共和國國家標準

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半導體器件

功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的

無損檢測識別判據(jù)

第3部分缺陷的光致發(fā)光檢測方法

:

Semiconductordevice—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevices—Part3Testmethodfor

pp:

defectsusingphotoluminescence

IEC63068-32020IDT

(:,)

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

光致發(fā)光法

4………………4

通則

4.1…………………4

原理

4.2…………………4

測試需求

4.3……………5

參數(shù)設置

4.4……………7

測試步驟

4.5……………7

評價

4.6…………………7

精密度

4.7………………8

測試報告

4.8……………8

附錄資料性缺陷的光致發(fā)光圖像

A()…………………9

概述

A.1…………………9

A.2BPD…………………9

堆垛層錯

A.3…………………………10

延伸堆垛層錯

A.4……………………10

復合堆垛層錯

A.5……………………11

多型包裹體

A.6………………………11

附錄資料性缺陷的光致發(fā)光譜

B()……………………13

概述

B.1…………………13

B.2BPD………………13

堆垛層錯

B.3……………13

延伸堆垛層錯

B.4………………………15

復合堆垛層錯

B.5………………………15

多型包裹體

B.6…………………………16

參考文獻

……………………17

Ⅰ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測識別判據(jù)的

GB/T43493《》

第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

3。GB/T43493:

第部分缺陷分類

———1:;

第部分缺陷的光學檢測方法

———2:;

第部分缺陷的光致發(fā)光檢測方法

———3:。

本文件等同采用半導體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測

IEC63068-3:2020《

識別判據(jù)第部分缺陷的光致發(fā)光檢測方法

3:》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布結(jié)構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位河北半導體研究所中國電子科技集團公司第十三研究所之江實驗室廣東天

:()、、

域半導體股份有限公司中國電子科技集團公司第四十六研究所浙江大學山東天岳先進科技股份有

、、、

限公司山西爍科晶體有限公司中國科學院半導體研究所中電化合物半導體有限公司河北普興電子

、、、、

科技股份有限公司常州臻晶半導體有限公司深圳市星漢激光科技股份有限公司廈門特儀科技有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人蘆偉立房玉龍李佳殷源丁雄杰張冉冉王健李麗霞張建峰李振廷

:、、、、、、、、、、

徐晨楊青劉立娜楊世興馬康夫鈕應喜金向軍尹志鵬劉薇陸敏周少豐林志陽

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

引言

碳化硅作為半導體材料被廣泛應用于新一代功率半導體器件中與硅相比具有擊穿

(SiC),。(Si),

電場強度高導熱率高飽和電子漂移速率高和本征載流子濃度低等優(yōu)越的物理性能基功率半導

、、,SiC

體器件相對于硅基器件具有更快的開關速度低損耗高阻斷電壓和耐高溫等性能

,、、。

功率半導體器件尚未全面得以應用主要由于成本高產(chǎn)量低和長期可靠性等問題其中一個

SiC,、。

嚴重的問題是外延材料的缺陷盡管都在努力降低外延片中的缺陷但商用外延片中仍

SiC。SiC,SiC

存在一定數(shù)量的缺陷因此有必要建立同質(zhì)外延片質(zhì)量評定國際標準

。SiC。

旨在給出高功率半導體器件用同質(zhì)外延片中各類缺陷的分類光學檢測方法

GB/T434934H-SiC、

和光致發(fā)光檢測方法由三個部分組成

。。

第部分缺陷分類目的是列出并提供高功率半導體器件用同質(zhì)外延片中各類缺

———1:。4H-SiC

陷及其典型特征

。

第部分缺陷的光學檢測方法目的是給出并提供高功率半導體器件用同質(zhì)外延

———2:。4H-SiC

片中缺陷光學檢測的定義和指導方法

。

第部分缺陷的光致發(fā)光檢測方法目的是給出并提供高功率半導體器件用同質(zhì)

———3:。4H-SiC

外延片中缺陷光致發(fā)光檢測的定義和指導方法

。

Ⅳ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半導體器件

功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的

無損檢測識別判據(jù)

第3部分缺陷的光致發(fā)光檢測方法

:

1范圍

本文件提供了商用碳化硅同質(zhì)外延片生長缺陷光致發(fā)光檢測的定義和方法主要是通

(4H-SiC)。

過光致發(fā)光圖像示例和發(fā)射光譜示例為同質(zhì)外延片上缺陷的光致發(fā)光檢測提供檢測和分類的

,SiC

依據(jù)

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

和維護的用于標準化的術語數(shù)據(jù)庫地址如下

ISOIEC:

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