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文檔簡介

電子束曝光技術在實驗中的

一些注意事項中國科學院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心半導體納米加工技術研究生課程楊香2009年10月摘要電子束膠的選取電子束曝光中的鄰近效應電子束曝光的劑量測試電子束曝光中的寫場拼接膠的厚度與轉速及濃度的關系PMMA：C4系列（氯苯為溶劑）和A2系列（乙醚為溶劑）膠的厚度與轉速及濃度的關系EL4：PMMA在乙酸乙酯（ethyllactate）中的濃度為4%電子散射與鄰近效應電子散射前散射Forwardscattering背散射Backscattering入射電子束在抗蝕劑中被展寬與入射電子能量有關電子在抗蝕劑和基底材料界面形成反射與電子能量、基底材料有關曝光參數(shù)選取減小鄰近效應的影響：克服背散射的影響：曝光劑量一定，選擇低的加速電壓克服前向散射的影響：盡量選擇薄膠，高的加速電壓選擇靈敏度較低的電子束膠采用薄膜襯底很好的克服了電子束在襯底上背散射的問題1.幾何尺寸校正

2.劑量校正

鄰近效應的幾何尺寸校正和劑量校正納米線的制備中的鄰近效應工字形錐形使關鍵圖形遠離大面積曝光區(qū)域曝光劑量對圖形尺寸的影響曝光劑量對膠的剖面的影響高劑量合適劑量低劑量加速電壓對膠的剖面的影響Raith150復制劑量測試圖形劑量測試版圖劑量及尺寸測試版圖劑量變化尺寸變化(a)曝光劑量130

C/cm2(b)曝光劑量140

C/cm2(c)曝光劑量150

C/cm2

(d)曝光劑量160

C/cm2(e)曝光劑量170

C/cm2(f)曝光劑量180

C/cm2

(a)脊寬30nm(b)脊寬15nm(c)脊寬10nm各向異性腐蝕的硅納米線結構<110>23電子束曝光中圖形套刻技術SOI基片電導臺面制作納米結構制作電極制作光刻、腐蝕EBL、腐蝕、氧化金屬蒸發(fā)、退火氧化硅掩膜套刻中的對準標記Global坐標Local坐標E-Beam套刻模板圖形(u,v)uv較大面積的納米結構準確套刻微納結構集成工藝中的關鍵技術2627電子束曝光電子束掃描方式樣品臺移動方向（U,V）電子束掃描方向(x,y)寫場對準寫場拼接誤差寫場的選取較小圖形曝光，不存在寫場拼接的問題，選擇盡量小的寫場（如100微米），曝光圖形盡量放置于寫場的中心

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