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《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》1工作簡(jiǎn)況1.1任務(wù)來(lái)源根據(jù)2023年2月寧夏材料研究學(xué)會(huì)下發(fā)的《關(guān)于開(kāi)展2023年團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議的通知》要求,團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》由寧夏材料研究學(xué)會(huì)歸口,計(jì)劃編號(hào)為:T/NXCLXXX—2023。主要起草單位為:寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司、寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司、寧夏大學(xué)、寧夏高創(chuàng)特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限公司。1.2項(xiàng)目背景在當(dāng)今全球近3000億美元的半導(dǎo)體市場(chǎng)中,95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是用高純優(yōu)質(zhì)的單晶硅拋光片和外延片制作的。硅材料、硅器件和硅基集成電路的技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用水平已經(jīng)成為一個(gè)國(guó)家的國(guó)力、國(guó)防、經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化及國(guó)民生活水平的重要標(biāo)志。、在未來(lái)的30-50年內(nèi),硅材料仍將是集成電路行業(yè)最基本和最重要的功能材料,且暫無(wú)其他材料可以替代硅材料成為電子信息和光伏產(chǎn)業(yè)的主要原材料。作為拉制8英寸及以上半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒的關(guān)鍵輔料,半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的需求量越來(lái)越大。隨著集成電路的制成不斷提高,對(duì)硅晶圓質(zhì)量的越來(lái)越高,而高品質(zhì)的合成石英坩堝是保證硅晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵。寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司研發(fā)的石英坩堝制備技術(shù)突破了半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)門(mén)檻。目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有專(zhuān)門(mén)針對(duì)半導(dǎo)體合成石英坩堝的標(biāo)準(zhǔn),這將制約我國(guó)在該產(chǎn)業(yè)方面的發(fā)展。為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體合成石英坩堝的研發(fā)和制造水平,引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí),提升行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,推行制定出半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。1.3主要參加單位和工作成員及其所做的工作本文件起草單位:寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司、寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司、寧夏大學(xué)、寧夏高創(chuàng)特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限公司。本文件主要起草人:李長(zhǎng)蘇、熊歡、何玉鵬、陳榮貴、王建軍、史海貝、閆素婷、陳金蓮、馬萬(wàn)保、馬榮天、王黎光、芮陽(yáng)、李海波、盛旺、田寶春。李長(zhǎng)蘇領(lǐng)導(dǎo)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)從事半導(dǎo)體石英坩堝研發(fā)多年,有著豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和大量的理論數(shù)據(jù)。在半導(dǎo)體硅單晶生長(zhǎng)用合成石英坩堝制造相關(guān)的研究方面取得了豐碩成果。結(jié)合大量資料與豐富研究成果,在北方民族大學(xué)、寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司、寧夏大學(xué)、寧夏高創(chuàng)特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限公司的大力支持下負(fù)責(zé)起草了“半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝”團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。1.4主要工作過(guò)程寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司在現(xiàn)有設(shè)備、人員、技術(shù)的基礎(chǔ)上,加上對(duì)客戶(hù)需求的了解,成立了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)編制組,召開(kāi)了標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目編制啟動(dòng)會(huì)議,對(duì)標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)工作進(jìn)行了部署和分工,主要工作過(guò)程經(jīng)歷了以下幾個(gè)階段。1.4.1起草階段1)2022年3月,成立了《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》標(biāo)準(zhǔn)編制組,確定了各成員的工作職能和任務(wù),制定了工作計(jì)劃和進(jìn)度安排。2)2022年4-10月,調(diào)研客戶(hù)提出的半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的技術(shù)需求,并收集涉及石英坩堝的標(biāo)準(zhǔn),分析不能滿(mǎn)足半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的具體點(diǎn)。3)2022年11月,提交了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》。。1.4.2征求意見(jiàn)階段2022年11月,就《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)文本和編制說(shuō)明,征求了xx、xx等單位的意見(jiàn),所有意見(jiàn)全部采納,形成了《半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝》送審稿。2標(biāo)準(zhǔn)的編制原則2.1符合性:按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的要求對(duì)本部分進(jìn)行了編寫(xiě)。2.2合理性:滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的需要為原則,提高標(biāo)準(zhǔn)的適用性;以與實(shí)際相結(jié)合為原則,提高標(biāo)準(zhǔn)的可操作性;充分考慮國(guó)家法律、安全、衛(wèi)生、環(huán)保法規(guī)的要求。3主要內(nèi)容說(shuō)明本文件規(guī)定了半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的術(shù)語(yǔ)和定義、產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)格以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等方面的內(nèi)容。其中技術(shù)要求包括原料、尺寸偏差、透明層厚度、外觀(guān)質(zhì)量、坩堝內(nèi)表面純度要求、抗析晶性、耐熱性等。試驗(yàn)方法包括外徑偏差和圓度偏差、直壁壁厚偏差和偏壁值、彎弧壁厚偏差、底部厚度偏差、高度偏差、弧度間隙、透明層厚度、外觀(guān)質(zhì)量、坩堝底部?jī)?nèi)表面純度、坩堝彎弧20μm層純度、坩堝氣泡、抗析晶性、高溫形變率的測(cè)量或檢驗(yàn)方法。檢驗(yàn)規(guī)則分為出廠(chǎng)檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。4主要實(shí)驗(yàn)和驗(yàn)證的分析標(biāo)準(zhǔn)涉及的半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的檢測(cè)項(xiàng)目中外徑偏差和圓度偏差、直壁壁厚偏差和偏壁值、彎弧壁厚偏差、底部厚度偏差、高度偏差、弧度間隙、透明層厚度、外觀(guān)質(zhì)量、坩堝底部?jī)?nèi)表面純度、坩堝彎弧20μm層純度、坩堝氣泡、抗析晶性、高溫形變率測(cè)量檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果表明檢測(cè)所確定的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)重現(xiàn)性、偏差、準(zhǔn)確性符合要求。表1半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的檢測(cè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果000000001012034357000000001022232458無(wú)5標(biāo)準(zhǔn)中涉及專(zhuān)利的情況本文件不涉及專(zhuān)利問(wèn)題。6預(yù)期達(dá)到的社會(huì)效益等情況(一)半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的制定,有利于改善國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝制造行業(yè)制造水平參差不齊的現(xiàn)狀,有利于推動(dòng)我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化體系建設(shè)。(二)有利于促進(jìn)半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝產(chǎn)品質(zhì)量的提升,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)、產(chǎn)品的升級(jí)、換代。(三)有利于提高半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝的市場(chǎng)銷(xiāo)售收入,增加就業(yè)崗位,帶動(dòng)地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展,實(shí)現(xiàn)良好的社會(huì)效益。(四)以東西部技術(shù)合作的方式,積極響應(yīng)了“一帶一路”發(fā)展大戰(zhàn)略以及寧夏自治區(qū)深化科技體制改革,提高科技對(duì)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)貢獻(xiàn)的政策號(hào)召。7采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的情況7.1采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的程度經(jīng)查,國(guó)外無(wú)相同類(lèi)型的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。7.2國(guó)際、國(guó)外同類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)水平的對(duì)比分析經(jīng)查,國(guó)外無(wú)相同類(lèi)型的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。7.3與測(cè)試的國(guó)外樣品、樣機(jī)的有關(guān)數(shù)據(jù)對(duì)比情況8與現(xiàn)行法律、法規(guī)、強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)配套情況本文件與有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有沖突。本文件與現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)及制定中的標(biāo)準(zhǔn)無(wú)重復(fù)交叉情況。9重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)編制組嚴(yán)格按照既定編制原則進(jìn)行編寫(xiě),本文件制訂過(guò)程中未發(fā)生重大的分歧意見(jiàn)。10標(biāo)準(zhǔn)作為強(qiáng)制性或推薦性標(biāo)準(zhǔn)的建議本標(biāo)準(zhǔn)建議作為推薦性團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),供相關(guān)組織參考采用。11貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議本文件規(guī)范了半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)用合成石英坩堝的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)格、和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等方面的內(nèi)容,有利于進(jìn)一步提高半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝行業(yè)研發(fā)和制造水平。生產(chǎn)企業(yè)和相關(guān)部門(mén)、單位應(yīng)按照產(chǎn)品質(zhì)量控制及分析檢驗(yàn)的要求,認(rèn)真貫徹實(shí)施本文件內(nèi)容。本
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