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HTR-4立式4寸快速退火爐HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標高、工藝復(fù)雜、專用性強。主要應(yīng)用領(lǐng)域:1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);2.離子注入/接觸退火;3.金屬合金;4.熱氧化處理;5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);6.多晶硅退火;7.太陽能電池片退火;8.高溫退火;9.高溫擴散。產(chǎn)品特點:可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計:高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。存儲熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實驗效率,數(shù)據(jù)可查詢??焖倏販嘏c高真空:最高升溫速率可達150℃/s,真空度最高可達到10-5Pa。程序設(shè)定與氣路擴展:可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制,進行降溫段的自動轉(zhuǎn)接,并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存,方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量,實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、氮氣等)下的熱處理。獨特的腔體空間設(shè)計:保證大尺寸樣品的溫場均勻性≤1%。全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停安全保護三重安全措施,全方位保障設(shè)備使用安全。主要技術(shù)參數(shù):最大樣品尺寸4英寸(直徑100mm)控溫范圍RT~1200℃升溫速率(max)150℃/s高溫段降溫速率(max)1200℃/min控溫精度±0.5℃溫場均勻性≤1%
氣體流量標配1路MFC控制(氮氣)可擴展至4路壓力控制~1bar,±100Pa工藝
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