標準解讀
《GB/T 6590-1998 半導體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 第二篇 100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范》這一標準文件,主要針對的是額定電流不超過100安培的雙向三極閘流晶體管。這類器件廣泛應用于電力電子領域,特別是在需要控制大電流場合下作為開關使用。該標準為這些特定類型的半導體器件制定了詳細的性能要求和技術規(guī)格。
文件中包含了對雙向三極閘流晶體管電氣特性的具體描述,比如最大重復峰值電壓、門極觸發(fā)電流等關鍵參數,并且規(guī)定了測試方法以確保產品符合既定的質量標準。此外,還涉及到了關于工作溫度范圍、存儲條件以及包裝運輸等方面的指導原則,這些都是保證設備長期穩(wěn)定運行不可或缺的因素。
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- 正在執(zhí)行有效
- 1998-11-17 頒布
- 1999-06-01 實施




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GB/T 6590-1998半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范-免費下載試讀頁文檔簡介
ICS31.080.20L43中華人民共和國國家標準GB/T_6590一1998idtIEC747-6-2:1991QC750111半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart6:ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs)ambientorcase-rated,upto100A1998-11-17發(fā)布1999-06-01實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā)布
GB/T6590—1998本規(guī)范等同采用IEC747-6-2:1991《半導體器件分立器件100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范》。本規(guī)范是國家標準GB/T6590—1986的修訂版。本規(guī)范與GB/T6590一1986的主要差別是:在第4章中增加了電流與溫度的降額曲線;刪去了C2c和C2d的分組號,該組的內容合并到C2b分組,并調整了引用總規(guī)范及分規(guī)范的標準號。除非另有規(guī)定,本規(guī)范第8章中引用的條款號對應于GB/T4589.1一1989(半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》(IEC747-10:1984)的條款號,測試方法引自GB/T15291一1994《半導體分立器件和集成電路第6部分:閘流晶體管》(IEC747-6:1991):試驗方法引自GB/T4937一1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》IEC749:1984)。本規(guī)范由中華人民共和國電子工業(yè)部提出本規(guī)范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標準化研究所負責起草,本規(guī)范主要起草人:于志賢、楊志丹、顧康麟
GB/T6590—1998IEC前言1)IC(國際電工委員會)在技術問題上的正式決議或協(xié)議,是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定的,對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2)這些決議或協(xié)議,以推薦標準的形式供國際上使用,并在此意義上為各國家委員會所認可。3)為了促進國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標準的文本作為其國家標準,IEC標準與相應國家標準之間的差異,應盡可能在國家標準中指明。本標準由IEC第47技術委員會(半導體器件)制定。本標準是100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管空白詳細規(guī)范本標準文本以下列文件為依據:六個月法表決報告47(C098647(C0)1099表決批準本標準的所有資料可在上表所列的表決報告中查閱。本標準封面上的QC號是IEC電子元器件質量評定體系(IECQ)的規(guī)范號。本標準中引用的其他IEC標準:IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗程序,第2部分:試驗,試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件的機械標準化,第2部分:尺寸(在修訂中)IEC747-6:1983半導體器件分立器件第6部分;閘流晶體管IEC747-10:1984半導體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導體器件第11部分:分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導體器件機械和氣候試驗方法
中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范GB/T6590—1998idtiec747-6-2:1991QC75017Semiconductordeyices-Discretedevices花褲G/6590-1986Part6:ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs),ambientorcase-rated.upto100A本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制定100A以下(含100A)環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管(包括快速型)詳細規(guī)范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規(guī)范應盡可能與本空白詳細規(guī)范相一致。本空白詳細規(guī)范是與GB/T4589.1一1989《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560~1990《半導體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關的一系列空白詳細規(guī)范中的一個。要求資料下列所要求的各項內容,應列入規(guī)定的相應的空欄內。詳細規(guī)范的識別:17授權起草詳細規(guī)范的國家標準機構的名稱,L2JIECQ詳細規(guī)范號。L3]總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號。【4詳細規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的更多的資料器件的識別:L57器件型號?!?]典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足著干應用,則應在詳細規(guī)范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應予以滿足。如果器件對靜電敏感,或含有害物質,例如氧化鍍,則應在詳細規(guī)范中附加注意事項。L7外形圖和(或)引用有關的外形標準。L87質量評定類別。【9】能在各器件型號之間比較的最重
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