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第三章失效機(jī)制3.6電過(guò)應(yīng)力靜電泄放（ESD）電遷徙天線(xiàn)效應(yīng)閂鎖效應(yīng)閘流效應(yīng)的控制防止和控制閘流效應(yīng)需要從生產(chǎn)工藝和版圖設(shè)計(jì)兩方面著手。通常所采取的措施，其目標(biāo)基本都是減小寄生晶體管的電流增益β和降低寄生晶體管的基射極分流電阻Rw、Rs。①減小β值：增加橫向PNP管的基極寬度，減小其電流放大倍數(shù)βpnp。②采用偽收集極：如圖所示，在P-阱和P+之間加一個(gè)接地的，由P-和P+組成的區(qū)域。它可以收集由橫向PNP管發(fā)射極注入進(jìn)來(lái)的空穴。這就阻止了縱向NPN管的基極注入，從而有效地減少PNP管的電流放大倍數(shù)βpnp。③采用保護(hù)環(huán) 保護(hù)環(huán)可以有效地降低橫向電阻和橫向電流密度。同時(shí)，由于加大了P-N-P管的基區(qū)寬度使βpnp下降。④隨著亞微米技術(shù)的應(yīng)用，集成度越來(lái)越多，對(duì)控制閘流效應(yīng)提出了更高的要求，目前廣泛采用的是挖隔離溝的辦法解決閘流效應(yīng)問(wèn)題。即用氧化絕緣層的壕溝（trench）將阱與襯底隔開(kāi)。使PNPN通路完全消失，這自然增加

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