ICS07030

Q65.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39123—2020

X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶

材料規(guī)范

Specificationforcadmium-zinctelluridesinglecrystalmaterialforX-rayand

γ-raydetector

2020-10-11發(fā)布2021-09-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T39123—2020

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

要求

4………………………2

測試方法

5…………………2

檢驗規(guī)則

6…………………6

包裝標(biāo)識運輸和貯存

7、、…………………8

說明事項

8…………………8

Ⅰ

GB/T39123—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC461)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位西北工業(yè)大學(xué)陜西迪泰克新材料有限公司上海大學(xué)

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人介萬奇谷智徐亞東查鋼強王濤湯三奇魏登科閔嘉華張繼軍

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T39123—2020

X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶

材料規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料的技術(shù)要求質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備

Xγ、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料

Xγ。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

高分辯率射線衍射測量襯底生長的中成分的試驗方法

GB/T24576XGaAsAlGaAsAl

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

氮化鎵單晶襯底片射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法

GB/T32188X

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碲鋅鎘單晶cadmiumzinctelluridesinglecrystal

閃鋅礦結(jié)構(gòu)的固溶體合金可以視為碲化鎘和碲化鋅固溶而成其分子式為

,(CdTe)(ZnTe);

xxx屬于點群空間群

Cd1-ZnTe(0<<1),43m,F43m。

注隨著組元的含量x的變化其點陣常數(shù)也隨之變化主要用于室溫射線和射線探測器以及碲鎘汞薄

:Zn,;Xγ,

膜的外延襯底

。

32

.

組分x值compositionx

碲鋅鎘單晶中組元的含量可以視為碲化鋅與碲鋅鎘的摩爾比

Zn,(ZnTe)(CdZnTe)。

33

.

微沉淀相micro-precipitates

受溫度場分布和分凝效應(yīng)影響碲鋅鎘晶體生長過程中可能形成鎘和碲的顆粒狀微沉淀相其直徑

,,

不大于對晶體質(zhì)量存在較大的影響

100μm,。