ICS77040

H25.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T33763—2017

藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度測(cè)量方法

Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度測(cè)量方法

GB/T33763—2017

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20176

*

書號(hào)

:155066·1-56240

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T33763—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫軟控設(shè)備科技發(fā)展有限公司中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所深

:、、

圳市中安測(cè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人薛抗美黃修康杭寅尹繼剛田野張永波張毅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33763—2017

藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于拋光加工后位錯(cuò)密度為個(gè)2個(gè)2的藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量

0/cm~100000/cm,

檢測(cè)面為面

{0001}、{1120}、{1012}、{1010}。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本方法采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯(cuò)當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時(shí)在晶體表面上的

。,

位錯(cuò)線露頭處腐蝕速度較快因而容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑可

,,。

用單位面積上的腐蝕坑數(shù)目標(biāo)識(shí)位錯(cuò)密度N按式計(jì)算

d,(1):

n

N=

dS…………(1)

式中

:

N位錯(cuò)密度單位為個(gè)每平方厘米個(gè)2

d———,(/cm);

n穿過視場(chǎng)面積S的位錯(cuò)線數(shù)目單位為個(gè)

———,;

S視場(chǎng)面積單位為平方厘米2

———,(cm)。

5化學(xué)試劑

51氫氧化鉀ρ3分析純

.(≈2.04g/cm),。

52氫氧化鈉ρ3分析純

.(≈2.13g/cm),。

53二氧化硅ρ3分析純

.(≈2.2g/cm),。

54稀鹽酸