ICS77040

H25.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T33763—2017

藍(lán)寶石單晶位錯密度測量方法

Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

藍(lán)寶石單晶位錯密度測量方法

GB/T33763—2017

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20176

*

書號

:155066·1-56240

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T33763—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫軟控設(shè)備科技發(fā)展有限公司中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所深

:、、

圳市中安測標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人薛抗美黃修康杭寅尹繼剛田野張永波張毅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33763—2017

藍(lán)寶石單晶位錯密度測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶位錯密度的測量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于拋光加工后位錯密度為個2個2的藍(lán)寶石單晶位錯密度的測量

0/cm~100000/cm,

檢測面為面

{0001}、{1120}、{1012}、{1010}。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本方法采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時在晶體表面上的

。,

位錯線露頭處腐蝕速度較快因而容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑可

,,。

用單位面積上的腐蝕坑數(shù)目標(biāo)識位錯密度N按式計(jì)算

d,(1):

n

N=

dS…………(1)

式中

:

N位錯密度單位為個每平方厘米個2

d———,(/cm);

n穿過視場面積S的位錯線數(shù)目單位為個

———,;

S視場面積單位為平方厘米2

———,(cm)。

5化學(xué)試劑

51氫氧化鉀ρ3分析純

.(≈2.04g/cm),。

52氫氧化鈉ρ3分析純

.(≈2.13g/cm),。

53二氧化硅ρ3分析純

.(≈2.2g/cm),。

54稀鹽酸