標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17170-2015 半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法》與《GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法》相比，主要存在以下幾個方面的差異：

  1. 適用范圍調(diào)整：2015版標(biāo)準(zhǔn)特別強(qiáng)調(diào)了對“半絕緣砷化鎵單晶中深施主EL2濃度”的測量，而1997版則側(cè)重于“非摻雜”半絕緣砷化鎵單晶中的深能級EL2濃度檢測。這一變化體現(xiàn)了新標(biāo)準(zhǔn)更加針對性地考慮了材料的特定類型和摻雜狀態(tài)。

  2. 技術(shù)更新：鑒于科技進(jìn)步和分析技術(shù)的發(fā)展，2015版標(biāo)準(zhǔn)很可能納入了更先進(jìn)的紅外吸收測試技術(shù)和數(shù)據(jù)處理方法，以提高測試精度和效率。這些可能包括但不限于改進(jìn)的光譜儀性能、更精確的校準(zhǔn)程序或新的數(shù)據(jù)分析算法。

  3. 測試方法優(yōu)化：新標(biāo)準(zhǔn)可能對測試步驟、樣品制備、測量條件等方面進(jìn)行了優(yōu)化或明確，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和實(shí)際應(yīng)用需求的變化。這有助于確保測試結(jié)果的一致性和可重復(fù)性。

  4. 定義和術(shù)語更新：隨著科學(xué)認(rèn)識的深入，2015版標(biāo)準(zhǔn)可能對關(guān)鍵術(shù)語、EL2能級的定義以及相關(guān)物理概念給出了更準(zhǔn)確或更現(xiàn)代的解釋，以便更好地指導(dǎo)實(shí)踐操作。

  5. 質(zhì)量控制和不確定度評估：新標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)了對測試過程中質(zhì)量控制的要求，包括對測試環(huán)境、儀器校準(zhǔn)、以及測試結(jié)果不確定度評估的具體指導(dǎo)，以提升測試報(bào)告的權(quán)威性和可靠性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與表述：從格式到內(nèi)容表述，2015版標(biāo)準(zhǔn)可能會有調(diào)整，以符合當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)化文件的編寫規(guī)范，使得標(biāo)準(zhǔn)更加清晰易懂，便于用戶理解和執(zhí)行。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2016-07-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17170-2015半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T17170—2015

代替

GB/T17170—1997

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulating

galliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

GB/T17170—2015

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書號

:155066·1-52428

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T17170—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級濃度紅外吸收測試方法

GB/T17170—1997《EL2》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有以下變化

GB/T17170—1997,:

修改了標(biāo)準(zhǔn)名稱

———;

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語和定義干擾因素和測試環(huán)境等章

———“”“”“”“”;

擴(kuò)展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍將電阻率大于7修改為大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

將范圍由非摻雜半絕緣砷化鎵單晶修改為非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶

———“”“”;

刪除了厚度測試樣品的解理制樣方法

———0.4mm~2mm。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

:、、

中國電子材料行業(yè)協(xié)會

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何秀坤李靜張雪囡

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T17170—1997。

Ⅰ

GB/T17170—2015

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的紅外吸收測試方法

EL2。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于6的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的

10Ω·cmEL2

測定

。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的測定

EL2。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

EL2濃度EL2concentration

砷化鎵單晶中的一種本征缺陷在砷化鎵單晶體內(nèi)的濃度

EL2()。

4方法提要

半絕緣砷化鎵單晶中深施主的紅外吸收系數(shù)α與濃度具有對應(yīng)關(guān)系測量

EL2EL2,1.0972μm

處的紅外吸收系數(shù)并由經(jīng)驗(yàn)校準(zhǔn)公式可計(jì)算濃度紅外吸收系數(shù)α與濃度的關(guān)系參見

EL2。EL2

附錄

A。

5干擾因素

51雜散光到達(dá)檢測器將導(dǎo)致濃度測試結(jié)果出現(xiàn)偏差

.,EL2。

52測試樣品的測試面積應(yīng)大于光闌孔徑否則可能導(dǎo)致錯誤的測試結(jié)果

.,。

6儀器

61分光光度計(jì)

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