TCs.31.080.30K46中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T17007-一1997絕緣柵雙極型晶體管測試方法Measuringmethodsforinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17007-1997前本標(biāo)準(zhǔn)是參考IC有關(guān)文件和工業(yè)發(fā)達國家標(biāo)準(zhǔn),并通過必需的試驗驗證制訂產(chǎn)生的。這些測試方法的實施將用來保證絕緣柵雙極型品體管的主要參數(shù)在貿(mào)易和技術(shù)交流中有統(tǒng)一的量度和方法。標(biāo)準(zhǔn)的第2章是對測試的一般要求。這部分內(nèi)容將使測試工作者使用本標(biāo)準(zhǔn)時感到完整、方便本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國機械工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由西安電力電子技術(shù)研究所、西安電力整流器廠起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：苗宏、白長生、鄧奎。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)絕緣柵雙極型晶體管測試方法GB/T17007-1997Measuringmethodsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于N溝道絕緣柵雙極型品體管(IGBT,以下簡稱器件)的電、熱特性測量和額定值檢驗P溝道絕緣柵雙極型晶體管的測試方法，只要進行適當(dāng)?shù)臉O性變換和考惠象限特性，也可參照使用武試驗的一般要求2.1本標(biāo)準(zhǔn)所有電、熱參數(shù)測試方法，在無特別說明時，均系指對單個器件的測量或試驗。測量準(zhǔn)確度與電源阻抗、電路參數(shù)、儀表、負載和電路類型等因素有關(guān)。應(yīng)正確考慮和選擇這些電路條件。2.2試驗電源和儀表2.2.1交流電源頻率(50士1)Hz,波形為正弦波，諧波含最不超過10%。2.2.2電路中的直流電源和脈沖電源的性能指標(biāo)應(yīng)滿足測量準(zhǔn)確度要求。2.2.3測試電路中的電源應(yīng)根據(jù)具體情況采用箱位措施，以保護被測試器件在通斷、調(diào)整和測量時不至由于瞬態(tài)過壓、過流而引起損壞。2.2.4電路中的各類測量儀器儀表性能指標(biāo)應(yīng)確保測量準(zhǔn)確度要求。2.3環(huán)境條件2.3.1環(huán)境大氣條件a）基準(zhǔn)測試大氣條件：溫度（25±1）C、相對濕度48%～52%、氣壓（86～106)kPa：b）常規(guī)測試大氣條件:溫度15℃～35℃、相對濕度45%～75%、氣壓(86～106)kPa。當(dāng)相對濕度和大氣壓對被測參數(shù)沒有可觀影響時，大氣條件可僅以溫度為準(zhǔn)。當(dāng)室溫偏離25℃較遠、而溫度對被測參數(shù)又有明顯影響時，應(yīng)按25℃對測量結(jié)果進行修正。2.3.2在無特別說明時，高溫測試是指在Tm,C溫度下進行,Tm為額定最高工作結(jié)溫;低溫測試是指在額定最低結(jié)溫(允許誤差為0℃～+3℃）進行。2.4除另有規(guī)定或在脈沖條件下完成測試外.所有電氣試驗均應(yīng)在熱平衡條件下進行。熱平衡條件是指：如果把從施加功率到進行測量之間的時間增加一倍，瀏量結(jié)果的變化不大于規(guī)定誤差，則認為達到了熱平衡。2.5任何靜電產(chǎn)生的電壓都可能使絕緣柵雙極型品體管永久損壞。因此，測量和試驗時要采取適當(dāng)措電