標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 16822-1997 介電晶體介電性能的試驗(yàn)方法》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),詳細(xì)規(guī)定了測(cè)量介電晶體材料介電性能的一系列實(shí)驗(yàn)方法和要求。然而,您提供的對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)不完整,這使得直接對(duì)比兩份標(biāo)準(zhǔn)的具體變更內(nèi)容變得不可能。為了提供有價(jià)值的信息,我可以概述《GB/T 16822-1997》可能涉及的一般性?xún)?nèi)容及其對(duì)介電性能測(cè)試的重要意義,但無(wú)法直接比較差異或變更點(diǎn)沒(méi)有另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的具體信息。
《GB/T 16822-1997》很可能包括了以下方面的內(nèi)容:
- 樣品制備與處理:規(guī)定了測(cè)試前介電晶體樣品應(yīng)如何切割、拋光及清潔,確保測(cè)試結(jié)果的可靠性和重復(fù)性。
- 測(cè)試環(huán)境:明確了實(shí)驗(yàn)環(huán)境的溫度、濕度等條件要求,因?yàn)檫@些因素可能影響介電性能的測(cè)量結(jié)果。
- 測(cè)量方法:詳細(xì)描述了用于測(cè)定介電常數(shù)、損耗因子、介電強(qiáng)度等關(guān)鍵參數(shù)的多種實(shí)驗(yàn)技術(shù),如諧振法、阻抗分析等。
- 儀器校準(zhǔn)與精度:提供了進(jìn)行測(cè)試所用儀器設(shè)備的校準(zhǔn)方法和必要的精度要求,以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。
- 數(shù)據(jù)處理與分析:指導(dǎo)如何正確采集數(shù)據(jù)并進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,包括計(jì)算平均值、誤差范圍等。
- 安全操作規(guī)程:可能包含在操作高電壓或特殊測(cè)試設(shè)備時(shí)的安全注意事項(xiàng),以保護(hù)實(shí)驗(yàn)人員安全。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1997-05-28 頒布
- 1998-02-01 實(shí)施




文檔簡(jiǎn)介
ICS.31.020L90中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16822-—1997介電品體介電性能的試驗(yàn)方法Testmethodfordielectricpropertiesofdielectriccrystal1997-05-28發(fā)布1998-02-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)介電品體介電性能的試驗(yàn)方法GB/T16822-1997中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100045電話(huà):63787337、637874471997年10月第一版2005年1月電子版制作書(shū)號(hào):155066·1-14147版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究舉報(bào)電話(huà):(010)68533533
GB/T16822-1997本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)GB/T1.1一1993《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1單元;標(biāo)準(zhǔn)的起草與表述規(guī)則第1部分:標(biāo)淮編寫(xiě)的基本規(guī)定》表達(dá)了介電品體介電性能的試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)參考了GB11297.11-89《熱釋電材料介電常數(shù)的測(cè)試方法》GB11297.9-89《熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tan8的測(cè)試方法》及GB11294—89《紅外探測(cè)材料半導(dǎo)體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語(yǔ)》三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)的特點(diǎn)是針對(duì)介電品體的介電性能與其結(jié)品學(xué)對(duì)稱(chēng)性有關(guān),采用介電系數(shù)張量來(lái)描述其介電性能。本標(biāo)準(zhǔn)討論了各種晶系品體的介電系數(shù)張量的獨(dú)立分量數(shù)目及其介電主軸的取法,同時(shí)給出了低頻下其介電系數(shù)及介電損耗的測(cè)量方法本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院物理研究所提出、本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)科學(xué)院物理研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張道范、朱鋪
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)介電晶體介電性能的試驗(yàn)方法GB/T16822-1997Testmethodfordielectricpropertiesofdielectriccrystal本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了介電品體的低頻(10MHz以下)介電系數(shù)及介電損耗的試驗(yàn)方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于介電品體的介電性能的測(cè)定。2試驗(yàn)方法2.1介電系數(shù)2.1.1定義介電系數(shù)dielectriccoefficient將原來(lái)不帶電的介電品體置于電場(chǎng)中,在其內(nèi)部和表面上會(huì)感生出一定的電荷即產(chǎn)生電極化現(xiàn)象用電極化強(qiáng)度矢量P描述。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度E不太強(qiáng)時(shí),介質(zhì)中的電極化強(qiáng)度P和電場(chǎng)強(qiáng)度E成線(xiàn)性關(guān)系在一般情況下,晶體中的電極化強(qiáng)皮失量P與電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E有不同的方向,使得品體內(nèi)的電位移失量D和E有不同的方向,在直角坐標(biāo)系中,晶體內(nèi)這三者的關(guān)系可用式(1)表示:D=eoE,+P,=eoe%E,:·········(1>(i=1,2,3)152i········(2式中:s—真空介電系數(shù),1,2,3分別代表直角坐標(biāo)軸X,Y,Z;晶體的介電系數(shù)張量,該張量為二階對(duì)稱(chēng)極張量,即,=ea。描述二階張量可選用三個(gè)相互垂直的主軸為坐標(biāo)軸(稱(chēng)主軸坐標(biāo)系)在主軸坐標(biāo)系中可將二階介電系數(shù)張址簡(jiǎn)化為只含對(duì)角項(xiàng),稱(chēng)主介電系數(shù)。晶體的介電系數(shù)張量的獨(dú)立分量數(shù)目與其對(duì)稱(chēng)性有關(guān):對(duì)于立方品系只有一個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù)m一m=m.對(duì)于三方,四方,六方晶系有兩個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù)=·ea。取晶體的高次對(duì)稱(chēng)軸(e軸)為一介電主軸,另兩個(gè)介電主軸在垂直。軸的平面內(nèi),取結(jié)晶軸“軸為另一介電主軸。對(duì)于正交品系有三個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù)..ez.s。取品體的結(jié)晶軸(a、、軸)為三個(gè)介電主軸對(duì)于單斜品系有四個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù).z.ea.a。取晶體的二次對(duì)稱(chēng)軸(軸)為一介電主軸。另兩個(gè)介電主軸在垂直6軸的平面內(nèi),通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量位于這平面內(nèi)的三個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù),可以確定這兩個(gè)介電主軸的方向和大小。對(duì)于三斜晶系有六個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù),a:eas,ei:6z·a??扇我膺x一直角坐標(biāo)系,通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量六個(gè)獨(dú)立的介電系數(shù),經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)運(yùn)算可以確定三個(gè)介電主軸的方向和大小。2.
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