標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15713-1995 鍺單晶片》是中國(guó)的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1995年，旨在規(guī)定鍺單晶片的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。此標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件制造中使用的鍺單晶片。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概覽：

1. 范圍：明確了標(biāo)準(zhǔn)適用的鍺單晶片類型，主要用于半導(dǎo)體工業(yè)中的各種器件制造，規(guī)定了其基本參數(shù)和質(zhì)量要求。

2. 引用標(biāo)準(zhǔn)：列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所依據(jù)或參考的其他相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確保各項(xiàng)測(cè)試和評(píng)估有據(jù)可依。

3. 定義：對(duì)鍺單晶片相關(guān)的專業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了界定，如晶向、晶片直徑、厚度、平整度等，為后續(xù)技術(shù)要求的闡述提供清晰的概念基礎(chǔ)。

4. 技術(shù)要求：

   • 材料：規(guī)定了鍺單晶應(yīng)滿足的純度等級(jí)，以及可能存在的雜質(zhì)元素的最大允許含量。
   • 幾何尺寸：詳細(xì)說明了晶片的直徑、厚度及其公差范圍，確保晶片的尺寸一致性。
   • 表面質(zhì)量：包括表面平整度、潔凈度、缺陷（如劃痕、凹坑）的要求，以保證晶片表面適合后續(xù)的微細(xì)加工。
   • 電學(xué)性能：規(guī)定了電阻率、載流子濃度等電學(xué)參數(shù)的范圍，這些對(duì)于半導(dǎo)體器件的功能至關(guān)重要。

5. 試驗(yàn)方法：介紹了如何通過物理和化學(xué)手段檢測(cè)鍺單晶片的各項(xiàng)指標(biāo)，包括但不限于尺寸測(cè)量、表面檢查、電學(xué)性能測(cè)試等，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

6. 檢驗(yàn)規(guī)則：明確了晶片的抽樣方案、合格判定準(zhǔn)則及不合格品的處理方式，確保產(chǎn)品質(zhì)量控制的嚴(yán)格性。

7. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：

   • 標(biāo)志：要求在產(chǎn)品或包裝上明確標(biāo)注產(chǎn)品信息，如標(biāo)準(zhǔn)號(hào)、制造商、批號(hào)、規(guī)格等。
   • 包裝：規(guī)定了保護(hù)晶片免受物理?yè)p傷和化學(xué)污染的包裝要求。
   • 運(yùn)輸：提出在運(yùn)輸過程中避免極端溫度、劇烈震動(dòng)的措施，以保護(hù)晶片的完整性。
   • 儲(chǔ)存：描述了適宜的儲(chǔ)存環(huán)境條件，如溫度、濕度，以防晶片性能劣化。

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