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文檔簡介

III-V族化合物 24222nmqEn h 2412213.6mqEeVhm是電子的質(zhì)量(m9.1110-28克)，h稱為普朗克常數(shù)(h6.63X10-27爾格秒)，q是電子電荷的數(shù)值(q4.810-10靜庫)，n稱為主量子數(shù)，可取1、2、3、等正整數(shù)，1電子伏特為一個電子電荷、電位變化1伏特時所增加的能量1電子伏特1.610-12爾格。24222nmqEn h , (1-3),xyzxPhyPhzPh , (1-3),xyzxPhyPhzPh 電子填充能帶遵守兩條原理：1，泡利不相容原理，即不可能有兩個電子處于完全相同的量子態(tài)。2，能量最小原理，即正常狀態(tài)的電子將處于能量最小的狀態(tài)。 價帶：價電子填充的能帶。導(dǎo)帶：價帶以上的能帶基本上是空的，其中最低的一個空帶為導(dǎo)帶。Ec：導(dǎo)帶底的能量Ev：價帶頂?shù)哪芰縀g：禁帶寬度，即價帶頂和 導(dǎo)帶底之間的能量間隔。 Eg = Ec- Ev*常溫下，硅的Eg1.120eV；鍺的Eg0.67eV

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